Shanghai Microsystems produit un graphène monocouche de haute qualité directement sur un substrat de germanium

Les rapports scientifiques scientifiques de Scientific ont récemment publié le Groupe de travail sur le groupe de travail des SOI et le Groupe de travail sur la suprconductivité du State Key Laboratory of Functional Materials for Materials Science and Technology, Chinese Academy of Sciences, en utilisant le dépôt chimique de vapeur (CVD). Un graphène à couche unique à grande région, uniforme et de haute qualité a été préparé directement sur un substrat de germanium. L'article était intitulé Growth Direct of Graphène Film sur le substrat de germanium.

Le graphène, une couche monoatomique de graphite, est une structure bidimensionnelle dans laquelle les atomes de carbone sont disposés en forme de nid d'abeille formé par la liaison SP2. En 2004, deux scientifiques de l'Université de Manchester au Royaume-Uni ont découvert le graphène en utilisant le décapage micromécanique et ont remporté le prix Nobel de physique en 2010. Depuis que le graphène a été découvert, il a de grandes perspectives d'application en raison de son excellent mécanique, électrique, optique et optique et son excellent propriétés chimiques. La découverte du graphène a attiré beaucoup l'attention dans le monde universitaire et l'industrie, conduisant à une augmentation de la recherche dans les domaines de la physique et de la science des matériaux.

Le dépôt de vapeur chimique (CVD) est actuellement le moyen le plus important de produire du graphène à grande surface de haute qualité. Cependant, les substrats métalliques sont des catalyseurs indispensables pour la croissance du graphène. Les applications suivantes doivent transférer le graphène du substrat métallique vers l'isolation ou le substrat de semi-conducteur souhaité. Le processus de transfert lourd peut facilement provoquer la destruction et la contamination de la structure du graphène, et il est difficile d'être compatible avec le processus de circuit intégré à grande échelle actuel, ce qui affecte la promotion et l'application à grande échelle des appareils à base de graphène.

Wang Gang et Di Zengfeng, le State Key Laboratory of Information Fonctional Materials, ont proposé une méthode pour préparer directement le graphène en utilisant le dépôt de vapeur chimique sur un substrat de germanium à grande échelle. Et a préparé avec succès un graphène unique uniforme, uniforme et de haute qualité. Le tantale est un matériau semi-conducteur important. Par rapport aux matériaux de silicium traditionnels, le germanium a une mobilité porteuse très élevée et est considéré comme le matériau semi-conducteur le plus potentiel pour remplacer le silicium. Il devrait être utilisé dans les futurs circuits intégrés à grande échelle. Le graphène à base de germanium réalise directement l'intégration du graphène de haute qualité et d'un substrat de semi-conducteur, et le processus de préparation est compatible avec le processus de semi-conducteur existant, et il peut rapidement favoriser la large application du graphène dans l'industrie des semi-conducteurs, et a important applications. valeur.